이 누리집은 대한민국 공식 전자정부 누리집입니다.
첫 번째, 엠아이티테크리뷰 보도 내용입니다.
미국 아이비엠이 손톱 크기에 트랜지스터 약 1,000억 개를 담아 2021년 자사 2나노 대비 집적도를 두 배 높인 기술을 선보이며 세계 최초로 미세화를 1나노 장벽 아래로 확장하는 데 성공했습니다. 트랜지스터를 수직으로 쌓고 층마다 다른 소재를 쓰는 3차원 나노스택 구조로 평면 축소의 한계를 극복해 무어의 법칙을 향후 10년 더 이어갈 길을 제시했으며, 2나노 대비 성능 최대 50퍼센트, 전력효율 70퍼센트 향상을 검증해 에이아이 연산에 유리하나 실제 양산은 5년 뒤로 전망됩니다.
두 번째, 제로헤지 보도 내용입니다.
삼성, 에스케이하이닉스, 마이크론에 의존하던 대만 티에스엠씨가 대만 메모리 기업 윈본드를 에이아이 칩 공급망에 새로 끌어들여 메모리 조달을 자국 중심으로 다변화하려는 전략적 움직임을 보이고 있습니다. 윈본드의 디램 웨이퍼와 티에스엠씨의 로직 웨이퍼를 수직 접합하는 웨이퍼온웨이퍼 방식으로 데이터 이동 거리를 줄여 대역폭과 전력효율을 높인 3차원 적층 메모리를 구현했으며, 에이치비엠을 쓰기 어려운 엣지 에이아이 등 특화 용도에 맞춤형 메모리를 안정적으로 공급하는 구조로 강한 파운드리, 약한 메모리로 불리던 대만 반도체 생태계의 약점을 보완합니다.
세 번째, 동아사이언스 보도 내용입니다.
포스텍과 한국생산기술연구원이 머리카락의 5분의 1 굵기인 약 14마이크로미터의 초박형 칩을 안정적으로 쌓는 공정을 개발해 상용 에이치비엠 12단보다 집적 밀도를 약 4배 높이는 성과를 달성했습니다. 칩을 정밀하게 옮겨 붙이는 전사 프린팅과 이송 순간에 금속 접합까지 완료하는 실시간 본딩을 결합한 방식으로 얇은 칩이 휘고 깨지는 문제를 해결했으며, 180도씨 20킬로파스칼 이하 저온 저압에서 초박형 칩을 10층 넘게 쌓아 정렬 오차와 휨을 최소화해 에이치비엠뿐 아니라 칩렛, 마이크로엘이디 등 차세대 반도체와 디스플레이로 확장할 수 있습니다.
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